高速GaN FET驅動器前景光明

    “隨著GaN逐步證明其在固態LiDAR等應用中的作用，設計工程師正利用pSemi的高速驅動器來最大化GaN的快速開關優勢，”

 pSemi首席技術官Jim Cable說，“憑借PE29101的上升和下降速度，可幫助LiDAR系統實現其可能達到的最高成像分辨率，

而這正是產業所需要的，以發揮LiDAR系統最完整的潛在性能�！�

    LiDAR的運行原理與毫米波雷達類似，只是以脈沖激光來精確測繪周圍的環境，常常用于高分辨率測繪。LiDAR現在開始

應用于汽車ADAS（先進駕駛輔助系統）系統，并被廣泛認為是全自動駕駛汽車的必要使能技術。此外，固態LiDAR則憑借其

經濟性、可靠性和相比機械LiDAR更緊湊的尺寸，已經作為未來商業化LiDAR系統的領導者而逐漸興起。

    pSemi推出高速GaN FET驅動器 大幅提高固態LiDAR分辨率,在LiDAR系統中，脈沖激光器的開關速度和上升時間直接

影響著LiDAR的測量精度。為了提高分辨率，電流需要盡可能快地切換通過激光器二極管。GaN技術憑借其極低的輸入

電容，及其相比MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）顯著更快的開關速度，為LiDAR系統提供了更高的分辨率和

更快的響應時間。GaN FET必須由非�？斓尿寗悠鱽砜刂�，以最大化它們的快速開關潛力。更高的開關速度要求驅動器

具有快速的上升時間和更低的最小輸出脈沖寬度。PE29101具備這些關鍵的性能參數，能夠幫助GaN技術提高LiDAR分辨率。

    PE29101是一款控制GaN晶體管柵極的半橋FET驅動器。這款驅動器輸出能夠在高達40 MHz的開關應用中提供亞納秒范圍內

的切換轉換速度。PE29101的上升／下降時間為1 ns，100 pF load，最小輸出脈沖寬度2 ns。其工作電壓范圍為4 V ～ 6．5 V，

可支持80 V的高側浮動電源電壓。PE29101的輸出拉電流（source current）為2A，輸出灌電流（sink current）為4A。